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FPD3000SOT89CESR

廠商：
RFMD
類別：
RF放大器
包裝：
-
封裝：
SOT-89
無鉛情況/ROHS：
-
描述：
Low-Noise High-Linearity Packaged...

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  • 參數(shù)
  • 描述
  • 文檔
參數(shù) 數(shù)值
VSUPPLY (V) 5
NF (dB) 0.9
Package SOT-89
OIP3 (dBm) 45
Gain (dB) 13
Frequency Range (Max) (MHz) 4000
Frequency Range (Min) (MHz) 500
OP1dB (dBm) 30

詳細描述
The FPD3000SOT89 is a packaged depletion mode AlGaAs/InGaAs pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (pHEMT). It features a 0.25μm x 3000μm Schottky barrier gate defined by high-resolution stepper-based photolithography. The double recessed gate structure minimizes parasitics to optimize performance. The epitaxial structure is designed for improved linearity over a range of bias conditions and input power levels.
特點
30dBm Output Power (P1dB)
13dB Small-Signal Gain (SSG)
1.3dB Noise Figure
45dBm OIP3
45% Power-Added Efficiency
FPD3000SOT89CE: RoHS Compliant

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