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AQS221FR2SZ

廠商:
Panasonic
類別:
PhotoMOS(MOSFET輸出光電耦合器)
包裝:
tape and reel packing(Z)
封裝:
SOP16
無鉛情況/ROHS:
無鉛
描述:
RF SOP4a C×R10 電壓驅(qū)動

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  • 參數(shù)
參數(shù) 數(shù)值
端子形狀 Surface-Mount
全部允許損耗 650mW
輸入/輸出絕緣電阻(最小) 1000 M ohm
訂貨產(chǎn)品號 AQS221FR2SZ
連續(xù)負(fù)載電流 0.16A
保存溫度 -40℃~+100℃
封裝 SOP16
輸入逆電壓(中文用) 5V
負(fù)載電壓 40 V
使用環(huán)境溫度 -40℃~+85℃
輸入電壓(中文用) 6V
輸入電流(平均)(中文用) 8.5mA
推薦動作條件(輸入LED電流) 5V(Input voltage)
輸出端子間容量(平均) 12.5 pF
部允許損耗 260mW
耐電壓 500V AC
輸入/輸出間端子容量(平均) 0.8pF
包裝方式 tape and reel packing(Z)
國外標(biāo)準(zhǔn) -
導(dǎo)通電阻(最大) 1.25 ohm
復(fù)位電壓(最小) 0.8V
輸入/輸出間端子容量(最大) 1.5pF
導(dǎo)通電阻(平均) 0.75 ohm
開路狀態(tài)漏電流(最大) 10nA
動作電壓(最大) 4V
特點(diǎn) -
動作時間(平均) 0.07ms
觸點(diǎn)結(jié)構(gòu) 4a
動作電壓(平均) 1.4V
復(fù)位電壓(平均) 1.4V
復(fù)位時間(平均) 0.07ms
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