特點(diǎn)
工作電壓高達(dá) 60V 的浮動(dòng)頂端驅(qū)動(dòng)器開關(guān)
可把頂端 N 溝道 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)至高于負(fù)載HV 電源電壓
180ns 變換時(shí)間 (驅(qū)動(dòng) 10,000pF)
自適應(yīng)非重疊柵極驅(qū)動(dòng)可防止發(fā)生貫通
在高占空比條件下提供了頂端驅(qū)動(dòng)器保護(hù)
TTL/CMOS 輸入電平
具遲滯的欠壓閉鎖
工作電源電壓范圍：10V 至 15V
單獨(dú)的頂端和底端驅(qū)動(dòng)引腳
典型應(yīng)用
描述
LT ? 1160/LT1162 是成本效益型半橋式/全橋式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器能夠采用一個(gè)高達(dá) 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源，以驅(qū)動(dòng)頂端 N 溝道功率MOSFET。 內(nèi)部邏輯電路可防止輸入同時(shí)接通半橋中的功率 MOSFET。其針對(duì)貫通電流的獨(dú)特自適應(yīng)保護(hù)電路取消了對(duì)兩個(gè)MOSFET 的全部匹配要求。這極大地簡(jiǎn)化了高效率電機(jī)控制和開關(guān)穩(wěn)壓器系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 在低供電電壓或啟動(dòng)條件下，欠壓閉鎖電路將主動(dòng)地把驅(qū)動(dòng)器輸出拉至低電平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 遲滯，因此即使在電源電壓緩慢變化的情況下也能實(shí)現(xiàn)可靠的操作。 LT1162 是 LT1160 的雙通道版本，采用 24 引腳P DIP 或24 引腳 SO 寬體封裝。