特點
工作電壓高達(dá) 60V 的浮動頂端驅(qū)動器開關(guān)
可把頂端 N 溝道 MOSFET 的柵極驅(qū)動至高于負(fù)載HV 電源電壓
180ns 變換時間 (驅(qū)動 10,000pF)
自適應(yīng)非重疊柵極驅(qū)動可防止發(fā)生貫通
在高占空比條件下提供了頂端驅(qū)動器保護
TTL/CMOS 輸入電平
具遲滯的欠壓閉鎖
工作電源電壓范圍:10V 至 15V
單獨的頂端和底端驅(qū)動引腳
典型應(yīng)用
描述
LT ? 1160/LT1162 是成本效益型半橋式/全橋式 N 溝道功率MOSFET 驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器能夠采用一個高達(dá) 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源,以驅(qū)動頂端 N 溝道功率MOSFET。 內(nèi)部邏輯電路可防止輸入同時接通半橋中的功率 MOSFET。其針對貫通電流的獨特自適應(yīng)保護電路取消了對兩個MOSFET 的全部匹配要求。這極大地簡化了高效率電機控制和開關(guān)穩(wěn)壓器系統(tǒng)的設(shè)計。 在低供電電壓或啟動條件下,欠壓閉鎖電路將主動地把驅(qū)動器輸出拉至低電平,以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 遲滯,因此即使在電源電壓緩慢變化的情況下也能實現(xiàn)可靠的操作。 LT1162 是 LT1160 的雙通道版本,采用 24 引腳P DIP 或24 引腳 SO 寬體封裝。